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ナノプロービング
- • チップ先端半径：最小5nm
- • 位置決め精度：最小1.5nm(X,Y),3.5nm(Z)
- • 集積回路のセキュリティ脅威評価
- • チップ設計とリバースエンジニアリング
ナノプローブで半導体デバイスの特性評価
- • 故障領域解析
- • 単体トランジスター/ダイオードのIV曲線測定
- • SRAMセルの特性評価
- • 配線ビアチェーンなどの抵抗測定
ナノプローブでEBICの測定
- • p-n接合のアクティブな領域を視覚化し欠陥の特定
- • バイアス下のサンプルの動的電気特性マッピング
ナノプローブでEBAC / RCIの測定
- • 配線の短絡部、断線部特定
ナノプローブでナノデバイスの電気特性測定
- • マイクロマシン（MEMS）およびセンサー
- • 光電子工学機器、マイクロLED、太陽電池
- • ナノワイヤ、グラフェン、薄膜、ナノ粒子など
ナノプローブでナノ操作
- • ナノ粒子のピックアップ、再配列
- • マイクロおよびナノファブリケーション
- • 透過型電子顕微鏡（TEM）観察用薄膜試料作製
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